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产品简介
型号：DP-SA-MC静电接地报警器不仅能将液体转运过程中产生的静电导入大地，还能够程自动检测接地状况。当回路断开时（检测电阻值大于60Ω），会发出声音报警，提醒作人员及时检查接地回路，确保油罐车和接地桩之间的有效连接，保证静电的可靠释放。
产品分类
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2020-06-162020-06-092019-12-112019-11-18| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 国产 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 能源,电子,交通,汽车,电气 |
型号：DP-SA-MC静电接地报警器不仅能将液体转运过程中产生的静电导入大地，还能够程自动检测接地状况。当回路断开时（检测电阻值大于60Ω），会发出声音报警，提醒作人员及时检查接地回路，确保油罐车和接地桩之间的有效连接，保证静电的可靠释放。
SA-MC（油船用）型静电接地报警器，为油船码头接地而，针对船体结构复杂和静电量较大的殊情况，在电路中加入抗干扰，能避免电磁干扰产生的误报警现象；同时增加防开关，保证静电夹破漆针在接触船体瞬间不会产生火花，使用安可靠。
| 1、防等：ExiaIICT4 2、检测电阻：＜60Ω 3、报警音量：＞90dB（ 30cm直线距离测量） 4、外型尺寸：530mm×385mm×185mm 5、标配线长：夹船端标配线长20米，接地端线长3米，可根据要求加长。 | ||||||||||
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2.磁电阻传感器与地磁场测量实验仪 型号；HAD-FD-HMC-C
地磁场作为一种天然磁源，在军事、航空、航海、工业、医学、探矿等科研中有着重要用途。本仪器采用新型坡莫合金磁阻传感器测量地磁场的重要参量，通过实验可以掌握磁阻传感器定标以及测量地磁场水平分量和磁倾角的方法，了解测量弱磁场的一种重要手段和实验方法。
本仪器与其他地磁场实验仪相比具有以下优点：
1 ．在原有 2 型的基础上，增加了底座的转盘。转盘经过精心设计，可自由转动，方便地调节水平和铅直。
2 ．新型磁阻传感器的灵敏度高达 50V/T ，分辨率可达 10 － 7 － 10 － 8 T ，稳定性好，便于学生掌握新型传感器定标，及用磁阻传感器测量弱磁场的方法，测量地磁场参量准确度高。
3 ．本仪器不仅可测地磁场水平分量，而且能测出地磁场的大小与方向，这是正切电流计等地磁场实验仪所不能达到的。
本仪器可用于高校、中专的基础物理实验、综合性设计性物理实验及演示实验。
应用本仪器可以完成以下实验：
1 ．熟悉磁阻传感器测量弱磁场的方法，测量磁阻传感器的灵敏度。
2 ．测量地磁场的水平分量、竖直分量以及磁倾角的大小，计算地磁场磁感应强度。
仪器主要技术参数：
1 ．磁阻传感器 工作电压 5V 灵敏度 50V/T
2 ．亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数 500 匝 半径 10cm
3 ． 直流恒流源 输出电流 0 － 199.9mA 连续可调，液晶显示
4 ． 直流电压表 量程 0 － 19.99mV 分辨率 0.01mV 液晶显示
3.磁阻传感器与地磁场实验仪 型号；HAD-FD-HMC-2
地磁场作为一种天然磁源，在军事、航空、航海、工业、医学、探矿等科研中有着重要用途。本仪器采用新型坡莫合金磁阻传感器测量地磁场的重要参量，通过实验可以掌握磁阻传感器定标以及测量地磁场水平分量和磁倾角的方法，了解测量弱磁场的一种重要手段和实验方法。
本仪器与其他地磁场实验仪 (如正切电流计测地磁场实验仪)相比具有以下优点：
1．实验转盘经过精心设计，可自由转动，方便地调节水平和铅直。
2．新型磁阻传感器的灵敏度高达50V/T，分辨率可达10 －7 －10 －8 T，稳定性好，便于学生掌握新型传感器定标，及用磁阻传感器测量弱磁场的方法，测量地磁场参量准确度高。
3．本仪器不仅可测地磁场水平分量，而且能测出地磁场的大小与方向，这是正切电流计等地磁场实验仪所不能达到的。
本仪器可用于高校、中专的基础物理实验、综合性设计性物理实验及演示实验。
应用本仪器可以完成以下实验：
1．熟悉磁阻传感器测量弱磁场的方法，测量磁阻传感器的灵敏度。
2．测量地磁场的水平分量、竖直分量以及磁倾角的大小，计算地磁场磁感应强度。
3．用磁阻传感器测量通电单线圈产生磁场分布，并与理论值进行比较（选做）。
仪器主要技术参数：
1．磁阻传感器 工作电压 6V 灵敏度50V/T
2．亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数500匝，半径 10cm
3．直流恒流源 输出电流0－200.0mA，连续可调
4．直流电压表 量程0－200mV，分辨率 0.01mV
4.磁电阻效应实验仪 型号；HAD-FD-MR-C
磁电阻传感器由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、位置测量等。其中最典型的锑化铟（ InSb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻传感器，有着十分重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种类型的传感器：利用砷化镓（ GaAs ）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（ InSb ）磁电阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。
应用该实验仪可以完成以下实验：
• 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
• 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
• 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。
• 研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性（倍频效应），观测其的物理现象。
该仪器具有研究性和设计性实验的特点，可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。
仪器主要技术参数：
1 ．磁电阻传感器工作电源 输出电流 0 － 3mA 连续可调。
2 ．数字式毫特仪 测量范围 0 － 199.9mT 分辨率 0.1mT ，液晶显示
3 ．数字电压表 测量范围 0 － 1999mV 分辨率 1mV ，液晶显示
5.磁阻效应实验仪 型号；HAD-FD-MR-II
磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、检测、位置测量等。其中最典型的锑化铟（ InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（ GaAs）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和设计性实验的特点。
该仪器可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。
应用本实验仪可以完成以下实验：
1．用于测定通过电磁铁的电流和磁铁间隙中磁感应强度的关系，观测砷化镓（GaAs）霍耳元件的霍耳效应。
2．用于测定锑化铟（InSb）磁阻元件电阻大小磁感应强度的对应关系。
3．研究锑化铟（InSb）磁阻元件在不同磁感应强度区域的电阻值变化与磁感应强度的关系，进行曲线拟合，求出磁阻元件电阻与磁感应强度关系的经验公式。
4．外接信号发生器，深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应），观测其的物理现象（选做）。
仪器主要技术参数：
1.双路直流电源
电流范围 0－500ｍA 连续可调，数字电流表显示大小。
电流范围 0－3ｍA 连续可调，供传感器的工作电流。
2.数字式毫特计
测量范围 0－0.5T，分辨率0.0001T，准确率为1%。
以上参数资料与图片相对应
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